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DDR2、DDR1供貨吃緊!

 

工商時報/股市脈動/C2版   / 彭暄貽、涂志豪/台北報導

集邦科技預估:需求強勁,DRAM現貨會漲到農曆年前
伴隨去年第四季遞延的市場需求愈見活絡,DRAM現貨報價再度出現強勁攀揚;1/4日 DDR 256Mb 32Mx8 ETT大漲六‧三二%,均價來到二‧一八美元,一反常態地超越DDR400二‧一四美元價位,而D DR2漲幅也有三‧六四%至五‧二七%的強勢表現。集邦科技(DRAM eXchange)認為,去年十一月開始,DRAM製造商已減產DDR2,在龐大的DRAM的採購量下,DDR2開始有缺貨的情況發生,同時,DDR1的供應情況也相當吃緊,預估DRAM現貨此番漲勢可望維持至農曆年前,至於 NAND Flash則以低容量FLASH行情較受期待。 集邦科技指出,去年十二月及今年一月份,DRAM需求比預期強勁,促使一月份DDR1、DDR2合約價悉數向上調漲三至五個百分點。 由於當前DRAM採購量並沒有因為以往大幅調降十二月的存貨而減少,預料中國農曆新年期間需求將持續上揚,亦即此波DRAM現貨漲勢可望維持至農曆年前。二月後的需求是否強勁,將是首季DRAM行情的觀察關鍵。 無獨有偶,外電報導,日本經濟產業省(METI)資料顯示,去年十月份DRAM庫存年減率二○%。有鑑於電子產品廠商將在世足賽開打前,積極促銷產品,而WLAN的普及也可望刺激筆記型電腦銷售額;影響所及,第一季DRAM需求可望隨之攀高,推升DRAM行情。 另外,集邦科技認為,本週NAND Flash現貨市場因應即將來臨的中國新年對於低價1Gb與2Gb現貨的需求,而低容量的現貨價格也將因有限的供應量而走揚。 集邦科技指出,目前NAND Flash的製造廠將主力放在滿足大量 OE M廠商對高容量的需求,因此,現貨市場上採TSOP (薄型小尺寸封裝 )封裝的1Gb及2Gb顆粒相對供不應求。當買家紛紛結束新年假期時,有助FLASH需求浮現。 更多新聞請看「工商時報

資料來源 摘自:全球華文行銷知識庫

資料來源 :1758網誌

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